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NTD4806N, NVD4806N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
6V
5V
4.5 V
10 V
2
3
4
4.2 V
4V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
3.2 V
5
160
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
V DS ≥ 10 V
1
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
2 3
T J = ? 55 ° C
4
5
6
0.048
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.015
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.043
0.038
0.033
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.010
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.028
0.023
0.018
0.013
0.008
0.005
V GS = 11.5 V
0.003
3
4
5
6
7
8
9
10
0
50
55
60
65
70
75
80
85
90
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2.0
1.5
1.0
I D = 30 A
V GS = 10 V
100,000
10,000
1000
V GS = 0 V
T J = 175 ° C
T J = 125 ° C
0.5
100
0
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
5
10
15
20
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Drain Voltage
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NTD4808NT4G 功能描述:MOSFET NFET 30V 63A 8MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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